CDBJSC5650-G
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Numero parte | CDBJSC5650-G |
PNEDA Part # | CDBJSC5650-G |
Descrizione | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO |
Produttore | Comchip Technology |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.172 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 18 - nov 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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CDBJSC5650-G Risorse
Brand | Comchip Technology |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | CDBJSC5650-G |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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CDBJSC5650-G Specifiche
Produttore | Comchip Technology |
Serie | - |
Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 5A (DC) |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 430pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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