CDBJSC101200-G
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| Numero parte | CDBJSC101200-G |
| PNEDA Part # | CDBJSC101200-G |
| Descrizione | DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO |
| Produttore | Comchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.736 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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CDBJSC101200-G Risorse
| Brand | Comchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CDBJSC101200-G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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CDBJSC101200-G Specifiche
| Produttore | Comchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | 780pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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