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CAT25AM02C8ATR

CAT25AM02C8ATR

Solo per riferimento

Numero parte CAT25AM02C8ATR
PNEDA Part # CAT25AM02C8ATR
Descrizione IC EEPROM 2M SPI 5MHZ 8WLCSP
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 3.906
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CAT25AM02C8ATR Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCAT25AM02C8ATR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CAT25AM02C8ATR, CAT25AM02C8ATR Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 180,64 KB)
PDFCAT25AM02C8CTR Datasheet Copertura
CAT25AM02C8CTR Datasheet Pagina 2 CAT25AM02C8CTR Datasheet Pagina 3 CAT25AM02C8CTR Datasheet Pagina 4 CAT25AM02C8CTR Datasheet Pagina 5 CAT25AM02C8CTR Datasheet Pagina 6 CAT25AM02C8CTR Datasheet Pagina 7 CAT25AM02C8CTR Datasheet Pagina 8 CAT25AM02C8CTR Datasheet Pagina 9 CAT25AM02C8CTR Datasheet Pagina 10 CAT25AM02C8CTR Datasheet Pagina 11

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CAT25AM02C8ATR Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock5MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina10ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.6V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-XFBGA, WLCSP
Pacchetto dispositivo fornitore8-WLCSP (3.12x2.04)

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

512Kb (64K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

CY7C1372S-167AXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

Produttore

Macronix

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH, RAM

Tecnologia

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

137-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

137-VFBGA (13x10.5)

DS1230Y-85

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

85ns

Tempo di accesso

85ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-EDIP

Venduto di recente

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