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CAT24M01LI-G

CAT24M01LI-G

Solo per riferimento

Numero parte CAT24M01LI-G
PNEDA Part # CAT24M01LI-G
Descrizione IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8DIP
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 6.264
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CAT24M01LI-G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCAT24M01LI-G
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CAT24M01LI-G, CAT24M01LI-G Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 366,53 KB)
PDFCAT24M01WI-G Datasheet Copertura
CAT24M01WI-G Datasheet Pagina 2 CAT24M01WI-G Datasheet Pagina 3 CAT24M01WI-G Datasheet Pagina 4 CAT24M01WI-G Datasheet Pagina 5 CAT24M01WI-G Datasheet Pagina 6 CAT24M01WI-G Datasheet Pagina 7 CAT24M01WI-G Datasheet Pagina 8 CAT24M01WI-G Datasheet Pagina 9 CAT24M01WI-G Datasheet Pagina 10 CAT24M01WI-G Datasheet Pagina 11

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CAT24M01LI-G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock1MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso400ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore8-PDIP

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

52MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-TBGA (10x13)

6116LA45TDB

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

24-CDIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-CDIP

SST39WF1601-70-4C-MAQE

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

SST39 MPF™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

40µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-WFBGA (6x4)

MSP17LV164-E1-TH-001

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7C1474BV33-200BGI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (1M x 72)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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