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CAT24C03WI-GT3

CAT24C03WI-GT3

Solo per riferimento

Numero parte CAT24C03WI-GT3
PNEDA Part # CAT24C03WI-GT3
Descrizione IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.320
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CAT24C03WI-GT3 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCAT24C03WI-GT3
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CAT24C03WI-GT3, CAT24C03WI-GT3 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 154,62 KB)
PDFCAT24C03ZI-GT3 Datasheet Copertura
CAT24C03ZI-GT3 Datasheet Pagina 2 CAT24C03ZI-GT3 Datasheet Pagina 3 CAT24C03ZI-GT3 Datasheet Pagina 4 CAT24C03ZI-GT3 Datasheet Pagina 5 CAT24C03ZI-GT3 Datasheet Pagina 6 CAT24C03ZI-GT3 Datasheet Pagina 7 CAT24C03ZI-GT3 Datasheet Pagina 8 CAT24C03ZI-GT3 Datasheet Pagina 9 CAT24C03ZI-GT3 Datasheet Pagina 10 CAT24C03ZI-GT3 Datasheet Pagina 11

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CAT24C03WI-GT3 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria2Kb (256 x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

30-BCPGA

Pacchetto dispositivo fornitore

30-CPGA (16.51x13.97)

S99GL064AU

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CYDMX128B16-65BVXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, MoBL

Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

65ns

Tempo di accesso

65ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 3.3V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

100-VFBGA (6x6)

W25Q80BWSSIG TR

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

80MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

800µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IDT71V67903S75PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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