CAT24C02VP2IGT3A
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| Numero parte | CAT24C02VP2IGT3A |
| PNEDA Part # | CAT24C02VP2IGT3A |
| Descrizione | IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TDFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.238 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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CAT24C02VP2IGT3A Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | CAT24C02VP2IGT3A |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
CAT24C02VP2IGT3A, CAT24C02VP2IGT3A Datasheet
(Totale pagine: 19, Dimensioni: 210,35 KB)
  
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CAT24C02VP2IGT3A Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 2Kb (256 x 8) |
| Interfaccia di memoria | I²C |
| Frequenza di clock | 400kHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 5ms |
| Tempo di accesso | 900ns |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TDFN (2x3) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM Dimensione della memoria 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 14ns Tempo di accesso 5.5ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 86-TSOP II |
Produttore Microchip Technology Serie SST26 SQI® Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 16Mb (2M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O Frequenza di clock 104MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 1.5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Wafer |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 36Mb (1M x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 2.6ns Tensione - Alimentazione 2.375V ~ 2.625V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (15x17) |
