C3M0030090K
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| Numero parte | C3M0030090K |
| PNEDA Part # | C3M0030090K |
| Descrizione | ZFET 900V, 30 MOHM, G3 SIC MOSFE |
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.584 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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C3M0030090K Risorse
| Brand | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | C3M0030090K |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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C3M0030090K Specifiche
| Produttore | Cree/Wolfspeed |
| Serie | C3M™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 63A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 35A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 11mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 15V |
| Vgs (massimo) | +15V, -4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1864pF @ 600V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 149W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-4 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-4 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
