BZT52B8V2-G RHG
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| Numero parte | BZT52B8V2-G RHG | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | BZT52B8V2-G-RHG | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 204.309 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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BZT52B8V2-G RHG Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BZT52B8V2-G RHG |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Diodi Zener - Singolo |
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BZT52B8V2-G RHG Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tensione - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
| Tolleranza | ±2% |
| Potenza - Max | 410mW |
| Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 700nA @ 5V |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOD-123 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
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