BYV30-600PQ
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| Numero parte | BYV30-600PQ |
| PNEDA Part # | BYV30-600PQ |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC |
| Produttore | WeEn Semiconductors |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.624 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BYV30-600PQ Risorse
| Brand | WeEn Semiconductors |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BYV30-600PQ |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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BYV30-600PQ Specifiche
| Produttore | WeEn Semiconductors |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 30A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.55V @ 30A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 500mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 20V Capacità @ Vr, F 110pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AB, MELF Pacchetto dispositivo fornitore GL41 (DO-213AB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
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Produttore Powerex Inc. Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
