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BYT231PIV-400

BYT231PIV-400

Solo per riferimento

Numero parte BYT231PIV-400
PNEDA Part # BYT231PIV-400
Descrizione DIODE MODULE 400V 30A ISOTOP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.002
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BYT231PIV-400 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBYT231PIV-400
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
BYT231PIV-400, BYT231PIV-400 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 133,99 KB)
PDFBYT231PIV-400 Datasheet Copertura
BYT231PIV-400 Datasheet Pagina 2 BYT231PIV-400 Datasheet Pagina 3 BYT231PIV-400 Datasheet Pagina 4 BYT231PIV-400 Datasheet Pagina 5 BYT231PIV-400 Datasheet Pagina 6

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BYT231PIV-400 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Configurazione diodi2 Independent
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.5V @ 30A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)100ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr35µA @ 400V
Temperatura di esercizio - Giunzione-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitoreISOTOP®

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Configurazione diodi

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

7.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

570mV @ 7.5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 35V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

180V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 50A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 180V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

MBRF12035R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 35V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

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Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

800mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 160V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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