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BYT08P-400

BYT08P-400

Solo per riferimento

Numero parte BYT08P-400
PNEDA Part # BYT08P-400
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.290
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata gen 11 - gen 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BYT08P-400 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBYT08P-400
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
BYT08P-400, BYT08P-400 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 101,85 KB)
PDFBYT08PI-400RG Datasheet Copertura
BYT08PI-400RG Datasheet Pagina 2 BYT08PI-400RG Datasheet Pagina 3 BYT08PI-400RG Datasheet Pagina 4 BYT08PI-400RG Datasheet Pagina 5 BYT08PI-400RG Datasheet Pagina 6 BYT08PI-400RG Datasheet Pagina 7

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BYT08P-400 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.5V @ 8A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr15µA @ 400V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione150°C (Max)

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

8µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AA, DO-27, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-27

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

S70V

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

70A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 70A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

JAN1N6642UBD

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/578

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

75V

Corrente - Media Rettificata (Io)

300mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

5ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500nA @ 75V

Capacità @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

3-UB (3.09x2.45)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

CDSFR4448

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

80V

Corrente - Media Rettificata (Io)

125mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

9ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 80V

Capacità @ Vr, F

9pF @ 0.5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

1005 (2512 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

1005/SOD-323F

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

UFT3010

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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