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BYM11-1000HE3_A/I

BYM11-1000HE3_A/I

Solo per riferimento

Numero parte BYM11-1000HE3_A/I
PNEDA Part # BYM11-1000HE3_A-I
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.088
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BYM11-1000HE3_A/I Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBYM11-1000HE3_A/I
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
BYM11-1000HE3_A/I, BYM11-1000HE3_A/I Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 79,46 KB)
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BYM11-1000HE3_A/I Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1000V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.3V @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)500ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Produttore

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-

Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5mA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

GP30DHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

VS-20ETF06FP-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.67V @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

160ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2 Full Pack

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

SE50PAJ-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.6A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

940mV @ 2.5A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

32pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

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Produttore

Powerex Inc.

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

100A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 470A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

7µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

30mA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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