BY134GP-E3/54
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| Numero parte | BY134GP-E3/54 |
| PNEDA Part # | BY134GP-E3-54 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.286 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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BY134GP-E3/54 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BY134GP-E3/54 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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BY134GP-E3/54 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 2A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-204AC, DO-15, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AC (DO-15) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 2.5A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 550mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia T-18, Axial Pacchetto dispositivo fornitore TS-1 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 8000V Corrente - Media Rettificata (Io) 50mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 4.6V @ 50mA Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 3.8µA @ 8000V Capacità @ Vr, F 25pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Semtech Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 875mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 50V Capacità @ Vr, F 25pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 700mA Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123F Pacchetto dispositivo fornitore S-FLAT (1.6x3.5) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
