BUK9MJJ-65PLL,518
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| Numero parte | BUK9MJJ-65PLL,518 |
| PNEDA Part # | BUK9MJJ-65PLL-518 |
| Descrizione | 9605 AUTO TRENCH PLUS |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.744 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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BUK9MJJ-65PLL Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BUK9MJJ-65PLL,518 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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BUK9MJJ-65PLL Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | TrenchPLUS |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 65V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.6A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.8nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2660pF @ 25V |
| Potenza - Max | 4.4W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 20-SO |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 336pF @ 25V Potenza - Max 1.8W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Complementary Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta), 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 486pF @ 10V, 642pF @ 10V Potenza - Max 700mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN2020-6 (Type B) |
Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V Potenza - Max 27W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 8.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
