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BUK9M9R1-40EX

BUK9M9R1-40EX

Solo per riferimento

Numero parte BUK9M9R1-40EX
PNEDA Part # BUK9M9R1-40EX
Descrizione MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.470
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9M9R1-40EX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9M9R1-40EX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BUK9M9R1-40EX, BUK9M9R1-40EX Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 720,63 KB)
PDFBUK9M9R1-40EX Datasheet Copertura
BUK9M9R1-40EX Datasheet Pagina 2 BUK9M9R1-40EX Datasheet Pagina 3 BUK9M9R1-40EX Datasheet Pagina 4 BUK9M9R1-40EX Datasheet Pagina 5 BUK9M9R1-40EX Datasheet Pagina 6 BUK9M9R1-40EX Datasheet Pagina 7 BUK9M9R1-40EX Datasheet Pagina 8 BUK9M9R1-40EX Datasheet Pagina 9 BUK9M9R1-40EX Datasheet Pagina 10 BUK9M9R1-40EX Datasheet Pagina 11

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BUK9M9R1-40EX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C64A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.2nC @ 5V
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2048pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)75W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK33
Pacchetto / CustodiaSOT-1210, 8-LFPAK33

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

470mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.74nC @ 5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12.9pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

390mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IPI024N06N3GHKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 196µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

275nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

23000pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO262-3

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STF13NM50N

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

IRF840B

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

134W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

330W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Pacchetto / Custodia

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