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BUK9K45-100E,115

BUK9K45-100E,115

Solo per riferimento

Numero parte BUK9K45-100E,115
PNEDA Part # BUK9K45-100E-115
Descrizione MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 36.186
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9K45-100E Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9K45-100E,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK9K45-100E, BUK9K45-100E Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 733,97 KB)
PDFBUK9K45-100E Datasheet Copertura
BUK9K45-100E Datasheet Pagina 2 BUK9K45-100E Datasheet Pagina 3 BUK9K45-100E Datasheet Pagina 4 BUK9K45-100E Datasheet Pagina 5 BUK9K45-100E Datasheet Pagina 6 BUK9K45-100E Datasheet Pagina 7 BUK9K45-100E Datasheet Pagina 8 BUK9K45-100E Datasheet Pagina 9 BUK9K45-100E Datasheet Pagina 10 BUK9K45-100E Datasheet Pagina 11

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BUK9K45-100E Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C21A
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2152pF @ 25V
Potenza - Max53W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

340A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 250A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

450nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

V2-PAK

Pacchetto dispositivo fornitore

V2-PAK

RJM0603JSC-00#12

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 10V

Potenza - Max

54W

Temperatura di esercizio

175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

20-HSOP

ECH8660-S-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-ECH

QS8M12TCR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.4nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

TSMT8

AOP609

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 30V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

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