Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

BUK9506-55B,127

BUK9506-55B,127

Solo per riferimento

Numero parte BUK9506-55B,127
PNEDA Part # BUK9506-55B-127
Descrizione MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.982
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK9506-55B Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK9506-55B,127
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BUK9506-55B, BUK9506-55B Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 305,38 KB)
PDFBUK9506-55B Datasheet Copertura
BUK9506-55B Datasheet Pagina 2 BUK9506-55B Datasheet Pagina 3 BUK9506-55B Datasheet Pagina 4 BUK9506-55B Datasheet Pagina 5 BUK9506-55B Datasheet Pagina 6 BUK9506-55B Datasheet Pagina 7 BUK9506-55B Datasheet Pagina 8 BUK9506-55B Datasheet Pagina 9 BUK9506-55B Datasheet Pagina 10 BUK9506-55B Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • BUK9506-55B,127 Datasheet
  • where to find BUK9506-55B,127
  • NXP

  • NXP BUK9506-55B,127
  • BUK9506-55B,127 PDF Datasheet
  • BUK9506-55B,127 Stock

  • BUK9506-55B,127 Pinout
  • Datasheet BUK9506-55B,127
  • BUK9506-55B,127 Supplier

  • NXP Distributor
  • BUK9506-55B,127 Price
  • BUK9506-55B,127 Distributor

BUK9506-55B Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C75A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 5V
Vgs (massimo)±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7565pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)258W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / CustodiaTO-220-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

IRF3709ZS

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

87A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2130pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

79W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPD60R650CEATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

63W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPL65R130C7AUMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 440µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

102W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-VSON-4

Pacchetto / Custodia

4-PowerTSFN

HUFA76443P3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

129nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4115pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

260W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

93pF @ 100V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT223

Pacchetto / Custodia

SOT-223-3

Venduto di recente

ADUM1100ARZ

ADUM1100ARZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

AD623ANZ

AD623ANZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8DIP

74F00SC

74F00SC

ON Semiconductor

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

MURS120-E3/52T

MURS120-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GP 200V 1A DO214AA

744066101

744066101

Wurth Electronics

FIXED IND 100UH 1.2A 300 MOHM

MAX3645EEE+T

MAX3645EEE+T

Maxim Integrated

IC AMP LIMITING 16-QSOP

MIC4420YN

MIC4420YN

Microchip Technology

IC DRIVER MOSFET 6A LO SIDE 8DIP

MMBT2222ALT1G

MMBT2222ALT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

AZ23C5V6-7-F

AZ23C5V6-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT23-3

TR3C107K010C0100

TR3C107K010C0100

Vishay Sprague

CAP TANT 100UF 10% 10V 2312

PI3PCIE3422ZHE

PI3PCIE3422ZHE

Diodes Incorporated

IC MUX/DEMUX 8 X SPST 42TQFN

LTM4625EY#PBF

LTM4625EY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 5A