BUK9212-55B,118
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| Numero parte | BUK9212-55B,118 |
| PNEDA Part # | BUK9212-55B-118 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 75A DPAK |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 64.650 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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BUK9212-55B Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BUK9212-55B,118 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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BUK9212-55B Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3519pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 185°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3380pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 39W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 158mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2418pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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Produttore STMicroelectronics Serie MDmesh™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 363nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15600pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 672W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP Pacchetto / Custodia SOT-227-4, miniBLOC |
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