Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

BUK7Y25-80E/CX

BUK7Y25-80E/CX

Solo per riferimento

Numero parte BUK7Y25-80E/CX
PNEDA Part # BUK7Y25-80E-CX
Descrizione MOSFET N-CH LFPAK
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.376
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK7Y25-80E/CX Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK7Y25-80E/CX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • BUK7Y25-80E/CX Datasheet
  • where to find BUK7Y25-80E/CX
  • NXP

  • NXP BUK7Y25-80E/CX
  • BUK7Y25-80E/CX PDF Datasheet
  • BUK7Y25-80E/CX Stock

  • BUK7Y25-80E/CX Pinout
  • Datasheet BUK7Y25-80E/CX
  • BUK7Y25-80E/CX Supplier

  • NXP Distributor
  • BUK7Y25-80E/CX Price
  • BUK7Y25-80E/CX Distributor

BUK7Y25-80E/CX Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
SerieTrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C39A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25.9nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1800pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)95W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

I prodotti a cui potresti essere interessato

ZVN1409ASTOA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

90V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250Ohm @ 5mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6.5pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

625mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

E-Line (TO-92 compatible)

Pacchetto / Custodia

E-Line-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

22.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2080pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

62.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-HVSON (6x5)

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

SPD50N03S2L06T

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 85µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2530pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

136W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264AA (IXFK)

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

NVTFS4823NWFTAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 12V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 21W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WDFN (3.3x3.3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Venduto di recente

ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T

ABLS2-12.000MHZ-D4Y-T

Abracon

CRYSTAL 12.0000MHZ 18PF SMD

MX30LF1G18AC-XKI

MX30LF1G18AC-XKI

Macronix

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

MC33161DMR2G

MC33161DMR2G

ON Semiconductor

IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8MICRO

RO-1212S

RO-1212S

Recom Power

DC DC CONVERTER 12V 1W

TMMDB3

TMMDB3

STMicroelectronics

DIAC 28-36V 2A MINIMELF

EMC1001-AFZQ-TR

EMC1001-AFZQ-TR

Microchip Technology

SENSOR DIGITAL -25C-125C SOT6

LT3480EDD#TRPBF

LT3480EDD#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 10DFN

PD55015-E

PD55015-E

STMicroelectronics

FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10

LT6350HMS8#PBF

LT6350HMS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC DIFF CONVERT/ADC DRIVER 8MSOP

VO14642AABTR

VO14642AABTR

Vishay Semiconductor Opto Division

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V

SBR3U60P1-7

SBR3U60P1-7

Diodes Incorporated

DIODE SBR 60V 3A POWERDI123

MC9S08DN16CLC

MC9S08DN16CLC

NXP

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32LQFP