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BUK7K6R8-40E,115

BUK7K6R8-40E,115

Solo per riferimento

Numero parte BUK7K6R8-40E,115
PNEDA Part # BUK7K6R8-40E-115
Descrizione MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 24.654
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK7K6R8-40E Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK7K6R8-40E,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK7K6R8-40E, BUK7K6R8-40E Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 733,54 KB)
PDFBUK7K6R8-40E Datasheet Copertura
BUK7K6R8-40E Datasheet Pagina 2 BUK7K6R8-40E Datasheet Pagina 3 BUK7K6R8-40E Datasheet Pagina 4 BUK7K6R8-40E Datasheet Pagina 5 BUK7K6R8-40E Datasheet Pagina 6 BUK7K6R8-40E Datasheet Pagina 7 BUK7K6R8-40E Datasheet Pagina 8 BUK7K6R8-40E Datasheet Pagina 9 BUK7K6R8-40E Datasheet Pagina 10 BUK7K6R8-40E Datasheet Pagina 11

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BUK7K6R8-40E Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1947pF @ 25V
Potenza - Max64W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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2 N-Channel (Dual)

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Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 13V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A, 5.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1932pF @ 15V

Potenza - Max

1.19W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A, 25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1715pF @ 15V

Potenza - Max

1W, 1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8 Dual

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.43nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

17pF @ 10V

Potenza - Max

220mW

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