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BUK7K23-80EX

BUK7K23-80EX

Solo per riferimento

Numero parte BUK7K23-80EX
PNEDA Part # BUK7K23-80EX
Descrizione MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.428
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK7K23-80EX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK7K23-80EX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK7K23-80EX, BUK7K23-80EX Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 255,59 KB)
PDFBUK7K23-80EX Datasheet Copertura
BUK7K23-80EX Datasheet Pagina 2 BUK7K23-80EX Datasheet Pagina 3 BUK7K23-80EX Datasheet Pagina 4 BUK7K23-80EX Datasheet Pagina 5 BUK7K23-80EX Datasheet Pagina 6 BUK7K23-80EX Datasheet Pagina 7 BUK7K23-80EX Datasheet Pagina 8 BUK7K23-80EX Datasheet Pagina 9 BUK7K23-80EX Datasheet Pagina 10 BUK7K23-80EX Datasheet Pagina 11

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BUK7K23-80EX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1542pF @ 25V
Potenza - Max53W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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NTHD5902T1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5 nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

ChipFET™

VQ2001P-2

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

4 P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 12V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP

Pacchetto dispositivo fornitore

14-DIP

IRF7901D1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 16V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

IRF7342QTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

193A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 120A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 6mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

378nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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