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BUK7K18-40EX

BUK7K18-40EX

Solo per riferimento

Numero parte BUK7K18-40EX
PNEDA Part # BUK7K18-40EX
Descrizione MOSFET 2N-CH 40V 24.2A LFPAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.804
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK7K18-40EX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK7K18-40EX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK7K18-40EX, BUK7K18-40EX Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 738,43 KB)
PDFBUK7K18-40EX Datasheet Copertura
BUK7K18-40EX Datasheet Pagina 2 BUK7K18-40EX Datasheet Pagina 3 BUK7K18-40EX Datasheet Pagina 4 BUK7K18-40EX Datasheet Pagina 5 BUK7K18-40EX Datasheet Pagina 6 BUK7K18-40EX Datasheet Pagina 7 BUK7K18-40EX Datasheet Pagina 8 BUK7K18-40EX Datasheet Pagina 9 BUK7K18-40EX Datasheet Pagina 10 BUK7K18-40EX Datasheet Pagina 11

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BUK7K18-40EX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C24.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds808pF @ 25V
Potenza - Max38W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A, 31A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 12V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 0.9V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 10V

Potenza - Max

120mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Potenza - Max

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