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BUK7K17-80EX

BUK7K17-80EX

Solo per riferimento

Numero parte BUK7K17-80EX
PNEDA Part # BUK7K17-80EX
Descrizione MOSFET 2 N-CH 80V 21A LFPAK56D
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.240
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK7K17-80EX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK7K17-80EX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
BUK7K17-80EX, BUK7K17-80EX Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 246,39 KB)
PDFBUK7K17-80EX Datasheet Copertura
BUK7K17-80EX Datasheet Pagina 2 BUK7K17-80EX Datasheet Pagina 3 BUK7K17-80EX Datasheet Pagina 4 BUK7K17-80EX Datasheet Pagina 5 BUK7K17-80EX Datasheet Pagina 6 BUK7K17-80EX Datasheet Pagina 7 BUK7K17-80EX Datasheet Pagina 8 BUK7K17-80EX Datasheet Pagina 9 BUK7K17-80EX Datasheet Pagina 10 BUK7K17-80EX Datasheet Pagina 11

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BUK7K17-80EX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max64W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-1205, 8-LFPAK56
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56D

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

187nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5155pF @ 25V

Potenza - Max

390W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6-P

NTJD4001NT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

33pF @ 5V

Potenza - Max

272mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

24-SMD

DMT47M2LDV-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

STS3DNE60L

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

815pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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