BSZ215CHXTMA1
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| Numero parte | BSZ215CHXTMA1 |
| PNEDA Part # | BSZ215CHXTMA1 |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.184 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSZ215CHXTMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSZ215CHXTMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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BSZ215CHXTMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A, 3.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 110µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 419pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2.5W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 10V Potenza - Max 1.5W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 8-ECH |
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