BSS169L6327HTSA1
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| Numero parte | BSS169L6327HTSA1 |
| PNEDA Part # | BSS169L6327HTSA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.142 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSS169L6327HTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSS169L6327HTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
BSS169L6327HTSA1, BSS169L6327HTSA1 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 207,61 KB)
  
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BSS169L6327HTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 7V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 68pF @ 25V |
| Funzione FET | Depletion Mode |
| Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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