BSL306NH6327XTSA1
Solo per riferimento
| Numero parte | BSL306NH6327XTSA1 |
| PNEDA Part # | BSL306NH6327XTSA1 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.876 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
BSL306NH6327XTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | BSL306NH6327XTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- BSL306NH6327XTSA1 Datasheet
- where to find BSL306NH6327XTSA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies BSL306NH6327XTSA1
- BSL306NH6327XTSA1 PDF Datasheet
- BSL306NH6327XTSA1 Stock
- BSL306NH6327XTSA1 Pinout
- Datasheet BSL306NH6327XTSA1
- BSL306NH6327XTSA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- BSL306NH6327XTSA1 Price
- BSL306NH6327XTSA1 Distributor
BSL306NH6327XTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 15V |
| Potenza - Max | 500mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSOP-6-6 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2110pF @ 30V Potenza - Max 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Monolithic Power Systems Inc. Serie - Tipo FET 3 N-Channel, Common Gate Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.3W Temperatura di esercizio -20°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie - Tipo FET 4 P-Channel, Matched Pair Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3pF @ 5V Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 14-SOIC |
Produttore IXYS Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 9-SMD Module Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS-SMPD™.B |
Produttore Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 36A Rds On (Max) @ Id, Vgs 83mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7290pF @ 25V Potenza - Max 250W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
