BSF083N03LQ G
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| Numero parte | BSF083N03LQ G |
| PNEDA Part # | BSF083N03LQ-G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.920 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSF083N03LQ G Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSF083N03LQ G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
BSF083N03LQ G, BSF083N03LQ G Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 561,64 KB)
  
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BSF083N03LQ G Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta), 53A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Ta), 36W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Pacchetto / Custodia | 3-WDSON |
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