Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

BSC0924NDIATMA1

BSC0924NDIATMA1

Solo per riferimento

Numero parte BSC0924NDIATMA1
PNEDA Part # BSC0924NDIATMA1
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.916
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSC0924NDIATMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSC0924NDIATMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • BSC0924NDIATMA1 Datasheet
  • where to find BSC0924NDIATMA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies BSC0924NDIATMA1
  • BSC0924NDIATMA1 PDF Datasheet
  • BSC0924NDIATMA1 Stock

  • BSC0924NDIATMA1 Pinout
  • Datasheet BSC0924NDIATMA1
  • BSC0924NDIATMA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • BSC0924NDIATMA1 Price
  • BSC0924NDIATMA1 Distributor

BSC0924NDIATMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funzione FETLogic Level Gate, 4.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A, 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1160pF @ 15V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TISON-8

I prodotti a cui potresti essere interessato

IRF7342PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SI7942DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

NVMFD5853NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1225pF @ 25V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

SI7940DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

NX3020NAKS,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.44nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 10V

Potenza - Max

375mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

Venduto di recente

AT25M01-SSHM-T

AT25M01-SSHM-T

Microchip Technology

IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIC

17-21SURC/S530-A3/TR8

17-21SURC/S530-A3/TR8

Everlight Electronics Co Ltd

LED RED CLEAR SMD

MBRD1035CTLG

MBRD1035CTLG

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V 5A DPAK

CY62187EV30LL-55BAXI

CY62187EV30LL-55BAXI

Cypress Semiconductor

IC SRAM 64M PARALLEL 48FBGA

MCP6002-E/SN

MCP6002-E/SN

Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

SC18IS600IBS,157

SC18IS600IBS,157

NXP

IC I2C BUS INTERFACE 24-HVQFN

IRF9321TRPBF

IRF9321TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC

W25Q256JVCIQ

W25Q256JVCIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

AUIRF2804S

AUIRF2804S

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

LT3437IFE#PBF

LT3437IFE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 500MA 16TSSOP

LTC1760IFW#PBF

LTC1760IFW#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC MANAGER BATTERY DUAL 48TSSOP

AD7305BRZ

AD7305BRZ

Analog Devices

IC DAC 8BIT V-OUT 20SOIC