BSC019N04NSGATMA1
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| Numero parte | BSC019N04NSGATMA1 |
| PNEDA Part # | BSC019N04NSGATMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.472 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSC019N04NSGATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSC019N04NSGATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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BSC019N04NSGATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta), 100A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 85µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 108nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 20V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-1 |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 275µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 206nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14800pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO262-3 Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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