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BS170RLRA

BS170RLRA

Solo per riferimento

Numero parte BS170RLRA
PNEDA Part # BS170RLRA
Descrizione MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.520
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BS170RLRA Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBS170RLRA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BS170RLRA, BS170RLRA Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 131,6 KB)
PDFBS170ZL1G Datasheet Copertura
BS170ZL1G Datasheet Pagina 2 BS170ZL1G Datasheet Pagina 3 BS170ZL1G Datasheet Pagina 4 BS170ZL1G Datasheet Pagina 5 BS170ZL1G Datasheet Pagina 6

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BS170RLRA Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C500mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds60pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)350mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5460pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 800mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 500V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

22W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO251-3

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRF740LCL

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

VN10KN3-G-P014

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

310mA (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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