Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

BS107AG

BS107AG

Solo per riferimento

Numero parte BS107AG
PNEDA Part # BS107AG
Descrizione MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.412
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BS107AG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBS107AG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BS107AG, BS107AG Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 59,19 KB)
PDFBS107G Datasheet Copertura
BS107G Datasheet Pagina 2 BS107G Datasheet Pagina 3 BS107G Datasheet Pagina 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • BS107AG Datasheet
  • where to find BS107AG
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor BS107AG
  • BS107AG PDF Datasheet
  • BS107AG Stock

  • BS107AG Pinout
  • Datasheet BS107AG
  • BS107AG Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • BS107AG Price
  • BS107AG Distributor

BS107AG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C250mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds60pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)350mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

I prodotti a cui potresti essere interessato

NTB23N03R

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.76nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

37.5W (Tj)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDC699P_F077

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2640pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-6 FLMP

Pacchetto / Custodia

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

IPC218N06L3X1SA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 196µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Sawn on foil

Pacchetto / Custodia

Die

FDB44N25TM

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

44A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

69mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2870pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

307W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

APT20M38SVRG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS V®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6120pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

370W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D3 [S]

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Venduto di recente

NHD-0420CW-AW3

NHD-0420CW-AW3

Newhaven Display Intl

4X20 WHITE SLIM CHARACTER OLED

TMP36GT9Z

TMP36GT9Z

Analog Devices

SENSOR ANALOG -40C-125C TO92-3

LTV-352T

LTV-352T

Lite-On Inc.

OPTOISO 3.75KV DARLINGTON 4SOP

MC68HC908GP32CFB

MC68HC908GP32CFB

NXP

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

XC6SLX100-3CSG484I

XC6SLX100-3CSG484I

Xilinx

IC FPGA 338 I/O 484CSBGA

CY37064P44-125JXC

CY37064P44-125JXC

Cypress Semiconductor

IC CPLD 64MC 10NS 44PLCC

ZHCS400TA

ZHCS400TA

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 400MA SOD323

MAX14757EUE+

MAX14757EUE+

Maxim Integrated

IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP

LTC2855IDE

LTC2855IDE

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 12DFN

P6KE150A

P6KE150A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 128V 207V DO15

PIC16F72-I/SO

PIC16F72-I/SO

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 28SOIC

SC18IS600IBS,157

SC18IS600IBS,157

NXP

IC I2C BUS INTERFACE 24-HVQFN