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BRCB008GWZ-3E2

BRCB008GWZ-3E2

Solo per riferimento

Numero parte BRCB008GWZ-3E2
PNEDA Part # BRCB008GWZ-3E2
Descrizione IC EEPROM 8K I2C UCSP30L1
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.362
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 7 - apr 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BRCB008GWZ-3E2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBRCB008GWZ-3E2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BRCB008GWZ-3E2, BRCB008GWZ-3E2 Datasheet (Totale pagine: 28, Dimensioni: 455,8 KB)
PDFBRCB008GWZ-3E2 Datasheet Copertura
BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 2 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 3 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 4 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 5 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 6 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 7 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 8 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 9 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 10 BRCB008GWZ-3E2 Datasheet Pagina 11

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BRCB008GWZ-3E2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria8Kb (1K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-XFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitoreUCSP30L1

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria

1.152Mb (32K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

83MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

144-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

144-TQFP (20x20)

Produttore

Macronix

Serie

MX29LV

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-SOIC (0.496", 12.60mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-SOP

R1LP5256ESA-5SI#B1

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP

MT29F8G08ADADAH4-IT:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

8Gb (1G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-VFBGA (9x11)

W9812G6JB-6 TR

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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