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BR93G86FVM-3AGTTR

BR93G86FVM-3AGTTR

Solo per riferimento

Numero parte BR93G86FVM-3AGTTR
PNEDA Part # BR93G86FVM-3AGTTR
Descrizione IC EEPROM 16K SPI 3MHZ 8MSOP
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.066
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR93G86FVM-3AGTTR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR93G86FVM-3AGTTR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR93G86FVM-3AGTTR, BR93G86FVM-3AGTTR Datasheet (Totale pagine: 39, Dimensioni: 3.122,94 KB)
PDFBR93G86-3A Datasheet Copertura
BR93G86-3A Datasheet Pagina 2 BR93G86-3A Datasheet Pagina 3 BR93G86-3A Datasheet Pagina 4 BR93G86-3A Datasheet Pagina 5 BR93G86-3A Datasheet Pagina 6 BR93G86-3A Datasheet Pagina 7 BR93G86-3A Datasheet Pagina 8 BR93G86-3A Datasheet Pagina 9 BR93G86-3A Datasheet Pagina 10 BR93G86-3A Datasheet Pagina 11

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BR93G86FVM-3AGTTR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria16Kb (1K x 16)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock3MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-MSOP

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP

MT49H16M36SJ-18 IT:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

DRAM

Dimensione della memoria

576Mb (16M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

533MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

144-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-sTSOP I

IS43DR16640C-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-TWBGA (8x12.5)

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

667MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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