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BR24S32FVJ-WE2

BR24S32FVJ-WE2

Solo per riferimento

Numero parte BR24S32FVJ-WE2
PNEDA Part # BR24S32FVJ-WE2
Descrizione IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8TSSOP
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.452
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 13 - apr 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BR24S32FVJ-WE2 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBR24S32FVJ-WE2
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
BR24S32FVJ-WE2, BR24S32FVJ-WE2 Datasheet (Totale pagine: 36, Dimensioni: 615,9 KB)
PDFBR24S64FV-WE2 Datasheet Copertura
BR24S64FV-WE2 Datasheet Pagina 2 BR24S64FV-WE2 Datasheet Pagina 3 BR24S64FV-WE2 Datasheet Pagina 4 BR24S64FV-WE2 Datasheet Pagina 5 BR24S64FV-WE2 Datasheet Pagina 6 BR24S64FV-WE2 Datasheet Pagina 7 BR24S64FV-WE2 Datasheet Pagina 8 BR24S64FV-WE2 Datasheet Pagina 9 BR24S64FV-WE2 Datasheet Pagina 10 BR24S64FV-WE2 Datasheet Pagina 11

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BR24S32FVJ-WE2 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria32Kb (4K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP-BJ

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Produttore

Micron Technology Inc.

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

13.75ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

120ns

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

28-EDIP

S25FL064LABMFB000

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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