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BLS3135-10,114

BLS3135-10,114

Solo per riferimento

Numero parte BLS3135-10,114
PNEDA Part # BLS3135-10-114
Descrizione RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.406
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BLS3135-10 Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBLS3135-10,114
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BLS3135-10, BLS3135-10 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 72,3 KB)
PDFBLS3135-10 Datasheet Copertura
BLS3135-10 Datasheet Pagina 2 BLS3135-10 Datasheet Pagina 3 BLS3135-10 Datasheet Pagina 4 BLS3135-10 Datasheet Pagina 5 BLS3135-10 Datasheet Pagina 6 BLS3135-10 Datasheet Pagina 7 BLS3135-10 Datasheet Pagina 8 BLS3135-10 Datasheet Pagina 9 BLS3135-10 Datasheet Pagina 10 BLS3135-10 Datasheet Pagina 11

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BLS3135-10 Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)75V
Frequenza - Transizione3.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno9dB
Potenza - Max34W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 250mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1.5A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-445C
Pacchetto dispositivo fornitoreCDFM2

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 40mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

CMPAK-4

BFP640FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

46GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz

Guadagno

8B ~ 30.5dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

MRF8372G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

870MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB ~ 9.5dB

Potenza - Max

2.2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

BF199_J35Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

1.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

38 @ 7mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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