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BGB 540 E6327

BGB 540 E6327

Solo per riferimento

Numero parte BGB 540 E6327
PNEDA Part # BGB-540-E6327
Descrizione RF TRANS NPN 3.5V SOT343-4
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.318
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 18 - feb 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BGB 540 E6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBGB 540 E6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BGB 540 E6327, BGB 540 E6327 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 129,68 KB)
PDFBGB 540 E6327 Datasheet Copertura
BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 2 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 3 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 4 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 5 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 6 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 7 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 8 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 9 BGB 540 E6327 Datasheet Pagina 10

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BGB 540 E6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)3.5V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno16dB ~ 17.5dB
Potenza - Max120mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT343-4

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

70V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10.8dB

Potenza - Max

90W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 2.5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

332A-03

Pacchetto dispositivo fornitore

332A-03, Style 1

BFR 183W E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

18.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.8V

Frequenza - Transizione

43GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

136mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

4-DFP

2N4957UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Guadagno

25dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

32mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 500µA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6.5mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

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