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BFY193PZZZA1

BFY193PZZZA1

Solo per riferimento

Numero parte BFY193PZZZA1
PNEDA Part # BFY193PZZZA1
Descrizione RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.336
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFY193PZZZA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFY193PZZZA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFY193PZZZA1, BFY193PZZZA1 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 144,18 KB)
PDFBFY193PZZZA1 Datasheet Copertura
BFY193PZZZA1 Datasheet Pagina 2 BFY193PZZZA1 Datasheet Pagina 3 BFY193PZZZA1 Datasheet Pagina 4

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BFY193PZZZA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione7.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz
Guadagno12.5dB ~ 13.5dB
Potenza - Max580mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 30mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80mA
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaMICRO-X1
Pacchetto dispositivo fornitoreMICRO-X1

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 800MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

280mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

2SC5277A-2-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz

Guadagno

10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

SMCP

TAN350

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB ~ 7.5dB

Potenza - Max

1450W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Temperatura di esercizio

230°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55ST

Pacchetto dispositivo fornitore

55ST

SD1372-01H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MPSH10RLRPG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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