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BFU660F,115

BFU660F,115

Solo per riferimento

Numero parte BFU660F,115
PNEDA Part # BFU660F-115
Descrizione RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Produttore NXP
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 21.708
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFU660F Risorse

Brand NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFU660F,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFU660F, BFU660F Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 122,95 KB)
PDFBFU660F Datasheet Copertura
BFU660F Datasheet Pagina 2 BFU660F Datasheet Pagina 3 BFU660F Datasheet Pagina 4 BFU660F Datasheet Pagina 5 BFU660F Datasheet Pagina 6 BFU660F Datasheet Pagina 7 BFU660F Datasheet Pagina 8 BFU660F Datasheet Pagina 9 BFU660F Datasheet Pagina 10 BFU660F Datasheet Pagina 11

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BFU660F Specifiche

ProduttoreNXP USA Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)5.5V
Frequenza - Transizione21GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Guadagno12dB ~ 21dB
Potenza - Max225mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce90 @ 10mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)60mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-343F
Pacchetto dispositivo fornitore4-DFP

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

200W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

125mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-623F

Pacchetto dispositivo fornitore

M03

MAPR-002731-115M00

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.06dB ~ 8.45dB

Potenza - Max

115W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.3dB

Potenza - Max

875W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

22A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

M103

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 500MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

330mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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