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BFS 460L6 E6327

BFS 460L6 E6327

Solo per riferimento

Numero parte BFS 460L6 E6327
PNEDA Part # BFS-460L6-E6327
Descrizione RF TRANS 2NPN 5.8V 22GHZ TSLP-6
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.596
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFS 460L6 E6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFS 460L6 E6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFS 460L6 E6327, BFS 460L6 E6327 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 130,73 KB)
PDFBFS 460L6 E6327 Datasheet Copertura
BFS 460L6 E6327 Datasheet Pagina 2 BFS 460L6 E6327 Datasheet Pagina 3

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BFS 460L6 E6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistor2 NPN (Dual)
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)5.8V
Frequenza - Transizione22GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Guadagno10dB ~ 14.5dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce90 @ 20mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-XFDFN
Pacchetto dispositivo fornitoreTSLP-6-1

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BFP720ESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

43GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz

Guadagno

11dB ~ 30.5dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 15mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

MPSH17G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

800MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

Guadagno

24dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2N5179

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

200MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-72

BFR843EL3E6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.6V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

25.5dB

Potenza - Max

125mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-XFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TSLP-3-10

BFS 386L6 E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

14GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Guadagno

10dB ~ 14.5dB

Potenza - Max

210mW, 380mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA, 80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TSLP-6-1

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