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BFR193WH6327XTSA1

BFR193WH6327XTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BFR193WH6327XTSA1
PNEDA Part # BFR193WH6327XTSA1
Descrizione RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 176.268
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFR193WH6327XTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFR193WH6327XTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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BFR193WH6327XTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione8GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno10.5dB ~ 16dB
Potenza - Max580mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 30mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT323-3

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70061A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MRF8372GR1

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

870MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB ~ 9.5dB

Potenza - Max

2.2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

MRF553

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

175MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

11.5dB

Potenza - Max

3W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

1.2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 40mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89-3

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

1.2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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