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BFR 360F E6765

BFR 360F E6765

Solo per riferimento

Numero parte BFR 360F E6765
PNEDA Part # BFR-360F-E6765
Descrizione RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.556
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFR 360F E6765 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFR 360F E6765
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFR 360F E6765, BFR 360F E6765 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 547,98 KB)
PDFBFR 360F E6765 Datasheet Copertura
BFR 360F E6765 Datasheet Pagina 2 BFR 360F E6765 Datasheet Pagina 3 BFR 360F E6765 Datasheet Pagina 4 BFR 360F E6765 Datasheet Pagina 5 BFR 360F E6765 Datasheet Pagina 6 BFR 360F E6765 Datasheet Pagina 7 BFR 360F E6765 Datasheet Pagina 8 BFR 360F E6765 Datasheet Pagina 9 BFR 360F E6765 Datasheet Pagina 10 BFR 360F E6765 Datasheet Pagina 11

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BFR 360F E6765 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)9V
Frequenza - Transizione14GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1dB @ 1.8GHz
Guadagno15.5dB
Potenza - Max210mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce90 @ 15mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-723
Pacchetto dispositivo fornitoreTSFP-3-1

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Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Guadagno

9dB ~ 14.5dB

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

9dB ~ 13.5dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

MS2322

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

87.5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M115

Pacchetto dispositivo fornitore

M115

JAN2N4957UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Guadagno

25dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

MPSH81

MICROSS/On Semiconductor

Produttore

MICROSS/On Semiconductor

Serie

*

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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