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BFP842ESDH6327XTSA1

BFP842ESDH6327XTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BFP842ESDH6327XTSA1
PNEDA Part # BFP842ESDH6327XTSA1
Descrizione RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT343
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.848
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 30 - gen 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFP842ESDH6327XTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFP842ESDH6327XTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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BFP842ESDH6327XTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)3.7V
Frequenza - Transizione60GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.65dB @ 3.5GHz
Guadagno26dB
Potenza - Max120mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce150 @ 15mA, 2.5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-343

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Guadagno

16dB

Potenza - Max

205mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343F

MC1331-3

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MS1051

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

18V

Frequenza - Transizione

30MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

11dB ~ 13dB

Potenza - Max

290W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 5mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M174

Pacchetto dispositivo fornitore

M174

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.3V

Frequenza - Transizione

21GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Guadagno

14dB

Potenza - Max

115mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

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