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BFP640E6327BTSA1

BFP640E6327BTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BFP640E6327BTSA1
PNEDA Part # BFP640E6327BTSA1
Descrizione RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.598
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFP640E6327BTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFP640E6327BTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFP640E6327BTSA1, BFP640E6327BTSA1 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 152,89 KB)
PDFBFP 640 H6433 Datasheet Copertura
BFP 640 H6433 Datasheet Pagina 2 BFP 640 H6433 Datasheet Pagina 3 BFP 640 H6433 Datasheet Pagina 4 BFP 640 H6433 Datasheet Pagina 5 BFP 640 H6433 Datasheet Pagina 6 BFP 640 H6433 Datasheet Pagina 7 BFP 640 H6433 Datasheet Pagina 8 BFP 640 H6433 Datasheet Pagina 9 BFP 640 H6433 Datasheet Pagina 10

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BFP640E6327BTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)4.5V
Frequenza - Transizione40GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Guadagno24dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce110 @ 30mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT343-4

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

NSVF6003SB6T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 1GHz

Guadagno

9dB

Potenza - Max

800mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-CPH

80262

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2N5770_D75Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Guadagno

15dB

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 8mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MPS5179

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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