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BDW83C-S

BDW83C-S

Solo per riferimento

Numero parte BDW83C-S
PNEDA Part # BDW83C-S
Descrizione TRANS NPN DARL 100V 15A
Produttore Bourns
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.040
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 4 - apr 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BDW83C-S Risorse

Brand Bourns
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBDW83C-S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BDW83C-S, BDW83C-S Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 276,26 KB)
PDFBDW83B-S Datasheet Copertura
BDW83B-S Datasheet Pagina 2 BDW83B-S Datasheet Pagina 3 BDW83B-S Datasheet Pagina 4 BDW83B-S Datasheet Pagina 5

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BDW83C-S Specifiche

ProduttoreBourns Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)15A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)100V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic4V @ 150mA, 15A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 6A, 3V
Potenza - Max3.5W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-218-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-93

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

300µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 4V

Potenza - Max

40W

Frequenza - Transizione

3MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

2SC2235-Y,USNHF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

BC857QASX

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 6V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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