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BC850BWE6327HTSA1

BC850BWE6327HTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BC850BWE6327HTSA1
PNEDA Part # BC850BWE6327HTSA1
Descrizione TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.236
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BC850BWE6327HTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBC850BWE6327HTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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BC850BWE6327HTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)45V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)15nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Potenza - Max250mW
Frequenza - Transizione250MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT323-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100µA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30000 @ 20mA, 2V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

JAN2N6211

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/461

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

225V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 125mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 1A, 5V

Potenza - Max

3W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-213AA, TO-66-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-66 (TO-213AA)

KSB564AOBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

110MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

ZTX1055A

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

310mV @ 150mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 10V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

E-Line-3

Pacchetto dispositivo fornitore

E-Line (TO-92 compatible)

ZTX705STZ

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 2mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

3000 @ 1A, 5V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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