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BC516-D27Z

BC516-D27Z

Solo per riferimento

Numero parte BC516-D27Z
PNEDA Part # BC516-D27Z
Descrizione TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 17.958
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BC516-D27Z Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBC516-D27Z
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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BC516-D27Z Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)30V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1V @ 100µA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30000 @ 20mA, 2V
Potenza - Max625mW
Frequenza - Transizione200MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 10mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

E-Line-3, Formed Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

E-Line (TO-92 compatible)

JANTX2N3792

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/379

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 2A, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 3A, 2V

Potenza - Max

5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-204AA, TO-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

150V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

800mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

ZXTP2009ZQTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 300mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

30µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

Potenza - Max

25W

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Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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