BBY5802VH6327XTSA1
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| Numero parte | BBY5802VH6327XTSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | BBY5802VH6327XTSA1 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE TUNING 10V 20MA SC79 | ||||||||||||||||||
| Produttore | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.233 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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BBY5802VH6327XTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BBY5802VH6327XTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Diodi Varactor |
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BBY5802VH6327XTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Capacità @ Vr, F | 5.5pF @ 6V, 1MHz |
| Rapporto di capacità | 3.5 |
| Condizione rapporto di capacità | C1/C4 |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 10V |
| Tipo di diodo | Single |
| Q @ Vr, F | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-79, SOD-523 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SC79-2 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Capacità @ Vr, F 12pF @ 4V, 50MHz Rapporto di capacità - Condizione rapporto di capacità - Tensione - Picco inverso (Max) 12V Tipo di diodo Single Q @ Vr, F 150 @ 4V, 50MHz Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-323 |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Capacità @ Vr, F 3.25pF @ 4V, 1MHz Rapporto di capacità 2 Condizione rapporto di capacità C1/C4 Tensione - Picco inverso (Max) 6V Tipo di diodo Single Q @ Vr, F - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-79, SOD-523 Pacchetto dispositivo fornitore SOD-523 |
Produttore Infineon Technologies Serie - Capacità @ Vr, F 47.5pF @ 2V, 1MHz Rapporto di capacità 1.71 Condizione rapporto di capacità C2/C8 Tensione - Picco inverso (Max) 18V Tipo di diodo 1 Pair Common Cathode Q @ Vr, F 200 @ 2V, 100MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Capacità @ Vr, F 6.5pF @ 10V, 1MHz Rapporto di capacità 2.5 Condizione rapporto di capacità C2/C10 Tensione - Picco inverso (Max) 15V Tipo di diodo Single Q @ Vr, F - Temperatura di esercizio 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore USC |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Capacità @ Vr, F 23.1pF @ 2V, 1MHz Rapporto di capacità 6.5 Condizione rapporto di capacità C2/C20 Tensione - Picco inverso (Max) 25V Tipo di diodo 1 Pair Common Cathode Q @ Vr, F 200 @ 3V, 50MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-323 |
