BAV102-GS08
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| Numero parte | BAV102-GS08 |
| PNEDA Part # | BAV102-GS08 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 72.642 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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BAV102-GS08 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BAV102-GS08 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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BAV102-GS08 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 250mA (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 MiniMELF |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 80V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 850mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 80V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore SMC (DO-214AB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 700mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 400µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1400V Corrente - Media Rettificata (Io) 104A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 20mA @ 1400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore BG-PB34-1 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 135°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 620mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 250µA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
