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BAT42WS RRG

BAT42WS RRG

Solo per riferimento

Numero parte BAT42WS RRG
PNEDA Part # BAT42WS-RRG
Descrizione DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323F
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 292.206
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BAT42WS RRG Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBAT42WS RRG
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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BAT42WS RRG Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media Rettificata (Io)200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 200mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)5ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr500nA @ 25V
Capacità @ Vr, F7pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-90, SOD-323F
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-323F
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 125°C

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

85A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 85A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

25µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AB, DO-5, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 125°C

TRS6E65C,S1AQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

650V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 6A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

90µA @ 650V

Capacità @ Vr, F

35pF @ 650V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-2L

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

B260AE-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

75pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

TSN525M60 S3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

630mV @ 25A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDFN (5x6)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SF1608PTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

85pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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