BAS86-M-18
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| Numero parte | BAS86-M-18 |
| PNEDA Part # | BAS86-M-18 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.448 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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BAS86-M-18 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BAS86-M-18 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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BAS86-M-18 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 40V |
| Capacità @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 MiniMELF |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 125°C (Max) |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 700mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.8µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore DO-219AB (SMF) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 15V Corrente - Media Rettificata (Io) 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 520mV @ 100A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 18mA @ 15V Capacità @ Vr, F 3800pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia PowerTab® Pacchetto dispositivo fornitore PowerTab® Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 975mV @ 6A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F 100pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123W Pacchetto dispositivo fornitore SOD123W Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 100A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 110ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D-67 Pacchetto dispositivo fornitore D-67 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
